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1.5T下高介电材料几何结构对发射场影响的仿真研究
文献摘要：
近年来研究发现,在高场及超高场磁共振成像(MRI)中,高介电材料在提高磁共振射频线圈性能,以及增强图像信噪比方面具有极大的应用潜力.当前高介电材料研究主要集中于其对磁共振图像信噪比的改善,但对于高介电材料几何结构,以及其对发射场分布均匀度影响的研究不多.本研究利用电磁仿真的方法定量分析了1.5 T下,高介电材料几何结构对水模感兴趣区内发射效率均值和发射场B1+均匀度的影响.结果表明,高介电材料的几何结构对B1+均匀度会产生较大影响;比较了不同几何结构的高介电衬垫之后发现,加入四等分圆筒状高介电衬垫后,感兴趣区内发射效率提升最高,同时B1+均匀度也保持良好.该结果对高介电材料应用于MRI具有重要的参考价值.
文献关键词：
磁共振成像(MRI);发射场B1+;电磁仿真;高介电材料(HPMs)
中图分类号：
作者姓名：
唐德港;李红闯;刘小玲;石磊;李海东;叶朝辉;周欣
作者机构：
波谱与原子分子物理国家重点实验室,武汉磁共振中心(中国科学院精密测量科学与技术创新研究院),湖北 武汉 430071;中国科学院大学,北京 100049
文献出处：
引用格式：
[1]唐德港;李红闯;刘小玲;石磊;李海东;叶朝辉;周欣-.1.5T下高介电材料几何结构对发射场影响的仿真研究)[J].波谱学杂志,2022(02):155-162
A类：
B1+,HPMs
B类：
5T,高介电材料,几何结构,发射场,仿真研究,高场磁共振成像,射频线圈,增强图像,图像信噪比,比方,材料研究,磁共振图像,场分布,均匀度,研究利用,电磁仿真,感兴趣区,发射效率,衬垫,四等,分圆,圆筒状,保持良好,材料应用
AB值：
0.227454
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