典型文献
高速850 nm VCSEL量子阱结构优化设计
文献摘要：
该文结合PICS3D软件模拟,以1λ腔长、5对InGaAs/AlGaAs量子阱为基础,优化了有源区阱层的厚度、组分以及谐振腔腔长.模拟结果表明:随着量子阱个数的增加,微分电阻和阈值电流增大,弛豫振荡频率降低,阻尼因子变小;随着阱层In组分的增加,阈值电流变小,弛豫振荡频率和阻尼因子增大;腔长缩短为1/2λ,弛豫振荡频率增大,同时由于传输因子变小,阻尼因子不会限制调制响应带宽;在1/2λ腔中Al0.90Ga0.10As掺杂,可以使微分电阻变小.优化后的单氧化层VCSEL最大电光转换效率为42.3％,调制响应-3 dB带宽为25 GHz.
文献关键词：
垂直腔面发射激光器;分布布拉格反射镜;量子阱;谐振腔
中图分类号：
作者姓名：
林峰
作者机构：
厦门市三安集成电路有限公司,福建 厦门 361009
文献出处：
引用格式：
[1]林峰-.高速850 nm VCSEL量子阱结构优化设计)[J].中国新技术新产品,2022(18):31-33
A类：
90Ga0,10As
B类：
VCSEL,量子阱,结构优化设计,PICS3D,软件模拟,InGaAs,AlGaAs,有源,源区,谐振腔,阈值电流,弛豫,振荡频率,阻尼因子,传输因子,Al0,氧化层,电光转换效率,dB,GHz,垂直腔面发射激光器,分布布拉格反射镜
AB值：
0.337866
相似文献
机标中图分类号，由域田数据科技根据网络公开资料自动分析生成，仅供学习研究参考。
