典型文献
水蒸气压力对两种SiC质耐火材料氧化速度的影响
文献摘要：
为改进SiC质耐火材料的抗氧化性测试方法,节省测试时间,研究了Si3 N4-SiC、Si2 N2 O/Si3 N4-SiC两种SiC质耐火材料在1000℃不同水蒸气压力(分别为0.10、0.11、0.13、0.15、0.17、0.19 MPa)下氧化不同时间(分别为20和40 h)后的氧化量,检测了氧化前后试样的质量和显气孔率,通过数理统计方法分析了质量变化率与水蒸气压力的数学关系.结果表明:Si3 N4-SiC和Si2 N2 O/Si3 N4-SiC质耐火材料在1000℃水蒸气中的氧化速度随水蒸气压力的提高而增大;在氧化20和40 h后,其质量变化率的二次方与水蒸气压力具有高度显著的线性关系,表明它们的氧化基本遵循经典的抛物线动力学方程.
文献关键词：
SiC;氧化;水蒸气;压力
中图分类号：
作者姓名：
罗天;王文武;牛世程;郭文辉
作者机构：
中钢集团洛阳耐火材料研究院有限公司 先进耐火材料国家重点实验室 河南洛阳471039
文献出处：
引用格式：
[1]罗天;王文武;牛世程;郭文辉-.水蒸气压力对两种SiC质耐火材料氧化速度的影响)[J].耐火材料,2022(04):312-314,319
A类：
B类：
水蒸气压力,SiC,耐火材料,抗氧化性,测试时间,Si3,N4,Si2,N2,显气孔率,数理统计,统计方法,质量变化率,二次方,基本遵循,循经,抛物线,动力学方程
AB值：
0.205911
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