典型文献
碳化硅浇注料在1000℃空气和水蒸气中的高温氧化行为
文献摘要：
利用扫描电镜、X射线衍射仪等对碳化硅浇注料在1000℃静态空气和纯水蒸气(参照ASTM C863—2000)中分别保温50、100、150 h的高温氧化行为进行了研究.结果表明:1)纯水蒸气氧化条件下,碳化硅浇注料的质量变化率和体积变化率均明显大于静态空气条件下的.2)和空气相比,水蒸气氧化对碳化硅浇注料的结构破坏更严重,可能是由于随时间的延长不能形成有效的保护膜,导致氧化反应持续进行;体积膨胀到一定程度,内部结构被破坏,最终导致材料开裂、剥落,失效.3)不同条件下碳化硅浇注料抗氧化性能差异可能和氢键对氧化膜的破坏有关.
文献关键词：
SiC浇注料;静态空气氧化;水蒸气氧化;物相组成;显微结构
中图分类号：
作者姓名：
曹会彦;王文武;张新华;许海洋;李杰
作者机构：
中钢集团洛阳耐火材料研究院有限公司 先进耐火材料国家重点实验室 河南洛阳471039
文献出处：
引用格式：
[1]曹会彦;王文武;张新华;许海洋;李杰-.碳化硅浇注料在1000℃空气和水蒸气中的高温氧化行为)[J].耐火材料,2022(01):16-19
A类：
C863,静态空气氧化
B类：
碳化硅,浇注料,高温氧化行为,纯水,ASTM,水蒸气氧化,质量变化率,体积变化率,于静,结构破坏,保护膜,氧化反应,应持,体积膨胀,剥落,不同条件下,抗氧化性能,性能差异,氢键,氧化膜,SiC,物相组成,显微结构
AB值：
0.251128
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