典型文献
C与Zn共掺杂InI电子结构与光学性质的第一性原理研究
文献摘要：
基于密度泛函理论的第一性原理,对C、Zn单掺及共掺InI体系的电子结构与光学性质进行研究.结果表明:掺杂后体系发生了晶格畸变,但并未改变体系的稳定性;相较于本征InI体系,C-InI体系与C-Zn-InI体系的禁带宽度减小,元素掺杂使费米能级附近出现杂质能级,增加了原子轨道对费米能级附近的贡献,并产生了带尾效应,使得掺杂后各体系均发生了红移现象;其中,C-InI体系的禁带宽度最小;C-InI体系在可见光区域的吸收系数最大,且体系的静介电常数也最大;由此可以推测出C-InI体系的光催化性能最好,这为降解污染物提供了一种选择.
文献关键词：
GGA方法;光学性质;电子结构;光催化;InI
中图分类号：
作者姓名：
陈巧悦;马磊;张丽丽
作者机构：
伊犁师范大学物理科学与技术学院,新疆凝聚态相变与微结构实验室,新疆 伊宁 835000
文献出处：
引用格式：
[1]陈巧悦;马磊;张丽丽-.C与Zn共掺杂InI电子结构与光学性质的第一性原理研究)[J].广东化工,2022(21):20-23
A类：
InI
B类：
共掺杂,电子结构,光学性质,第一性原理研究,基于密度,密度泛函理论,后体,晶格畸变,未改,变体,禁带宽度,元素掺杂,费米能级,原子轨道,尾效,红移,可见光,吸收系数,介电常数,光催化性能,降解污染物,GGA
AB值：
0.263192
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