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功率器件粗铝丝键合脱键失效机理分析
文献摘要：
粗铝丝键合具备过流大、键合灵活的优点,被广泛应用于VDMOS等大功率器件的封装.但功率器件工作时发热量大,粗铝丝/金层键合系统在长时间高温的环境下,容易发生引线剥离脱落,导致器件失效.本文利用SEM/EDS以及FIB等测试手段,系统研究了Al/Au界面的金属间化合物(intermetallic compound,IMC)及柯肯达尔空洞(kirkendall hole)的形成对粗铝丝键合脱键失效的影响.结果表明:粗铝丝键合脱键是源于高温过程中,金铝之间形成多种金属间化合物,引起体积变化,形成了连续的柯肯达尔空洞,最终导致键合脱键失效;降低金层厚度可以有效降低粗铝丝脱键导致的失效风险.
文献关键词：
铝丝键合;金属间化合物(IMC);柯肯达尔空洞;脱键;功率器件
中图分类号：
作者姓名：
路聪阁;鲍禹希;李彩然;刘彤;张国良;宋云鹤;任宇欣
作者机构：
中国电子科技集团公司第十三研究所,河北 石家庄 050000
文献出处：
引用格式：
[1]路聪阁;鲍禹希;李彩然;刘彤;张国良;宋云鹤;任宇欣-.功率器件粗铝丝键合脱键失效机理分析)[J].广东化工,2022(13):87-89,83
A类：
粗铝丝键合,脱键,柯肯达尔空洞,kirkendall
B类：
键失效,失效机理,机理分析,过流,VDMOS,大功率器件,封装,发热量,引线,EDS,FIB,试手,Au,金属间化合物,intermetallic,compound,IMC,hole,体积变化,金层厚度,失效风险
AB值：
0.19768
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