典型文献
锇掺杂单层SnS2对SOF2和SO2F2吸附特性
文献摘要：
基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理计算,研究了SOF2和SO2F2两种SF6分解气体在SnS2及Osn(n=1～2)掺杂改性的SnS2材料表面的气敏响应.从吸附能、能带结构、态密度、前线轨道等方面,对比分析三种材料分别对SOF2及SO2F2的气敏响应机理.研究发现,本征SnS2对SOF2及SO2F2的气敏响应特性不佳,但在Os掺杂后,掺杂处成为材料表面的活性位点,有效地提高了两种气体在SnS2表面的气敏响应特性:Osn-SnS2(n=1～2)对SOF2表现出良好的吸附效果,其中Os2-SnS2对SO2F2也具有理想的传感特性.该研究为实验开发用于检测SF6分解气体的高性能气敏传感器提供了理论基础.
文献关键词：
密度泛函理论;SF6分解气体;Osn-SnS2;吸附特性
中图分类号：
作者姓名：
桂银刚;陈盈;唐超;陈显平
作者机构：
西南大学工程技术学院 重庆 400700;重庆大学光电工程学院 重庆 400044
文献出处：
引用格式：
[1]桂银刚;陈盈;唐超;陈显平-.锇掺杂单层SnS2对SOF2和SO2F2吸附特性)[J].电工技术学报,2022(15):3923-3931
A类：
Osn,Os2
B类：
SnS2,SOF2,SO2F2,吸附特性,基于密度,密度泛函理论,DFT,第一性原理计算,SF6,分解气体,掺杂改性,气敏响应,吸附能,能带结构,态密度,前线轨道,响应机理,响应特性,杂处,活性位点,吸附效果,传感特性,实验开发,气敏传感器
AB值：
0.273689
相似文献
机标中图分类号，由域田数据科技根据网络公开资料自动分析生成，仅供学习研究参考。
