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基于制备成功率和量子效率提升的Te断续、Cs持续沉积制备Cs-Te光阴极
文献摘要：
为制备产生高品质电子源的高量子效率半导体Cs-Te光阴极,基于INFN-LASA的Cs-Te光阴极制备方法,发展一套Te断续、Cs持续沉积制备Cs-Te光阴极的方法.在SINAP和SARI的光阴极制装置上制备的Cs-Te光阴极,波长265 nm紫外光照射下,量子效率大于5％,并且制备成功率达到100％.只要制备腔室真空好于10–8 Pa,这套制备方法就能制备高量子效率的Cs-Te光阴极,且不因制备装置和操作人员的改变而改变.
文献关键词：
光阴极;Te断续;Cs持续沉积;量子效率
中图分类号：
作者姓名：
李旭东;姜增公;顾强;张猛;林国强;赵明华;郭力
作者机构：
中国科学院上海高等研究院,上海 201210;中国科学院上海应用物理研究所,上海 201808
文献出处：
引用格式：
[1]李旭东;姜增公;顾强;张猛;林国强;赵明华;郭力-.基于制备成功率和量子效率提升的Te断续、Cs持续沉积制备Cs-Te光阴极)[J].物理学报,2022(17):385-392
A类：
INFN,LASA,SINAP
B类：
量子效率,Te,断续,Cs,光阴极,电子源,制备方法,SARI,紫外光照射,射下,功率达,腔室,Pa,套制,不因,操作人员
AB值：
0.191891
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