典型文献
Ⅲ-Ⅴ族纳米线及其异质结构:生长与应用
文献摘要：
由于独特的结构特征和新颖的物理特性,Ⅲ-Ⅴ族纳米线一直是半导体光电子学领域的研究热点.近年来,Ⅲ-Ⅴ族纳米线及其异质结构的制备取得了长足的进步,并在新一代激光器、探测器、太阳能电池等光电子器件中展现出巨大的应用潜力.归纳了近期Ⅲ-Ⅴ族纳米线的主要研究进展,包括Ⅲ-Ⅴ族纳米线的可控生长技术、Ⅲ-Ⅴ族纳米线异质结构的制备途径与物理特性、Ⅲ-Ⅴ族纳米线光电子器件的主要进展等,并展望了就该领域的主要挑战和发展方向.
文献关键词：
Ⅲ-Ⅴ族纳米线;异质结构;激光器;探测器;太阳能电池
中图分类号：
作者姓名：
颜鑫;张霞;任晓敏
作者机构：
北京邮电大学信息光子学与光通信国家重点实验室,北京100876
文献出处：
引用格式：
[1]颜鑫;张霞;任晓敏-.Ⅲ-Ⅴ族纳米线及其异质结构:生长与应用)[J].北京邮电大学学报,2022(03):1-6,25
A类：
半导体光电子学
B类：
纳米线,异质结构,物理特性,备取,激光器,探测器,太阳能电池,光电子器件,可控生长,主要进展,主要挑战
AB值：
0.166081
相似文献
机标中图分类号，由域田数据科技根据网络公开资料自动分析生成，仅供学习研究参考。
