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SiC颗粒增强镁基复合材料界面稳定性的第一性原理计算
文献摘要：
针对SiC颗粒增强镁基复合材料界面的理论研究较少,大多研究仅停留在表征层面等问题.本文采用第一性原理方法,计算了四种不同SiC (0001)/Mg (0001)界面模型的电荷密度、布局分析和界面分离功.结果 表明:对于同种终端的SiC(0001)/Mg (0001)界面模型中,顶位型结构比心位型结构的稳定性好;不同终端的SiC (0001)/Mg (0001)的界面模型中,Si终端结构比C终端结构更加稳定,其中Si终端顶位型结构稳定性最好,其分离功为Wsep=3.297 J/m2,界面间距为d0=2.651nm.界面的键合方式主要为C-Mg共价键和Mg-Si离子键.
文献关键词：
镁基复合材料;界面;稳定性;第一性原理
中图分类号：
作者姓名：
周乐章;薄文杰;李紫阳;耿桂宏;王月
作者机构：
北方民族大学材料科学与工程学院 银川750000
文献出处：
引用格式：
[1]周乐章;薄文杰;李紫阳;耿桂宏;王月-.SiC颗粒增强镁基复合材料界面稳定性的第一性原理计算)[J].真空科学与技术学报,2022(01):55-59
A类：
界面分离功,Wsep,651nm
B类：
SiC,颗粒增强,镁基复合材料,界面稳定性,第一性原理计算,第一性原理方法,Mg,界面模型,电荷密度,布局分析,终端结构,结构稳定性,界面间距,d0,键合,共价键,离子键
AB值：
0.271017
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