典型文献
高比容少层MXene Ti3C2的制备及其超级电容性能
文献摘要：
采用微波辅助选择性刻蚀技术制备了原子层间距为1.28nm的少层Ti3C2,其质量比电容为377.64 F/g,比多层Ti3C2提高了 154.27％.对两种Ti3C2电化学储能过程的动力学分析结果表明,少层Ti3C2的电荷存储主要是表面电容的贡献,其贡献率为76.28％.
文献关键词：
无机非金属材料;少层Ti3C2;微波辅助刻蚀;比容量
中图分类号：
作者姓名：
王益浩;吴琼;李鹏飞;杨占鑫;张洪涛
作者机构：
辽宁工业大学材料科学与工程学院 锦州121001;辽宁中色新材科技有限公司 锦州121000
文献出处：
引用格式：
[1]王益浩;吴琼;李鹏飞;杨占鑫;张洪涛-.高比容少层MXene Ti3C2的制备及其超级电容性能)[J].材料研究学报,2022(03):183-190
A类：
微波辅助刻蚀
B类：
MXene,Ti3C2,超级电容性能,助选,刻蚀技术,层间距,28nm,比电容,电化学储能,动力学分析,电荷存储,无机非金属材料,比容量
AB值：
0.316702
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