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不同雾流速率下α-Ga2O3薄膜的超声雾化化学气相沉积法外延生长
文献摘要：
研究了超声雾化化学气相沉积(Mist-CVD)法外延生长α-Ga2O3薄膜过程中通入雾流速率的调控及其对薄膜生长质量的影响.利用COMSOL Multiphysics软件仿真得到在0.1～0.2 m/s的雾流速率下基板表面具有稳定的雾流和较小的温度变化.对比了通入雾流速率为0.118、0.177和0.251 m/s时所生长的α-Ga2O3薄膜的差异.X射线衍射(XRD)表明在上述3种速率下均成功外延生长出α-Ga2O3薄膜.薄膜生长速率在一定范围内随着雾流速率的增加而提高,但当雾流通入速率过高时,α-Ga2O3薄膜表面发生翘曲开裂,且其光学带隙变小.
文献关键词：
氧化镓;超声雾化化学气相沉积;外延生长;宽禁带半导体;流速;薄膜
中图分类号：
作者姓名：
杨邻峰;宁平凡;李雄杰;贾晓萍;杨孟宇
作者机构：
天津工业大学电气与电子工程学院,天津 300387;天津工业大学大功率半导体照明应用系统教育部工程研究中心,天津 300387
文献出处：
引用格式：
[1]杨邻峰;宁平凡;李雄杰;贾晓萍;杨孟宇-.不同雾流速率下α-Ga2O3薄膜的超声雾化化学气相沉积法外延生长)[J].电镀与涂饰,2022(05):364-370
A类：
超声雾化化学气相沉积,Mist
B类：
Ga2O3,化学气相沉积法,外延生长,CVD,薄膜生长,生长质量,COMSOL,Multiphysics,软件仿真,真得,基板,所生,生长速率,翘曲,光学带隙,氧化镓,宽禁带半导体
AB值：
0.247335
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