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基于VO2温度可调控双频超薄太赫兹超材料吸收器
文献摘要：
本文提出了一种基于二氧化钒(VO2)相变特性的温度可调控双频超薄太赫兹超材料吸收器,该吸收器由顶层金-VO2谐振器,中间SiO2介质层以及底层连续的金膜组成.在室温时,VO2处于绝缘态,所提出的吸收器在共振频率4.11 THz和6.01 THz处实现吸收率分别为94.3％和99.6％的双频吸收;随着温度升高至340 K,VO2呈现金属态,吸收器的两个吸收峰发生红移,在共振频率2.55 THz和5.29 THz处分别实现95.8％和93.4％的吸收.该吸收器的厚度仅为最小和最大工作波长的1/19和1/45,具有超薄特性.通过VO2处于不同相变态时吸收器的表面电流分布阐明了可调控的吸收机制.此外,本文所提出的吸收器对TE和TM波都具有极化不敏感和斜入射吸收的特性.
文献关键词：
超材料;吸收器;太赫兹;温度调控
中图分类号：
作者姓名：
樊怡;杨荣草
作者机构：
山西大学物理电子工程学院 山西太原 030006
文献出处：
引用格式：
[1]樊怡;杨荣草-.基于VO2温度可调控双频超薄太赫兹超材料吸收器)[J].量子光学学报,2022(01):46-54
A类：
B类：
VO2,可调控,双频,超薄,太赫兹超材料,超材料吸收器,二氧化钒,相变特性,谐振器,SiO2,绝缘,共振频率,THz,吸收率,现金,吸收峰,红移,处分,同相,变态,电流分布,吸收机制,TE,TM,不敏,斜入射,温度调控
AB值：
0.317791
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