典型文献
Sb在高硅铝硅合金电磁分离过程中的变质行为
文献摘要：
研究了高硅铝硅合金(45wt％ Si)熔体电磁分离过程中,Sb添加量、下拉速率、温度等对分离效果的影响,对Sb在高硅铝硅合金电磁分离过程中的变质机理进行了分析.结果 表明,在1500℃、下拉速率为10 μm/s时,过共晶铝硅合金熔体中加入Sb进行定向凝固后,合金部分硅铝比从11.53％降至11.21％,初晶硅富集区的硅含量从86wt％增至90wt％;当1500℃、下拉速率为40 μm/s时,合金部分硅铝比从12.56％降至12.13％,初晶硅富集区的硅含量从81wt％增至86.5wt％;加入变质剂后合金部分共晶硅相在α-A1基体中分布均匀且连续,形貌有所细化.
文献关键词：
高硅铝硅合金;初晶硅;电磁定向凝固;变质剂Sb
中图分类号：
作者姓名：
杨雄东;王均鹏;马文会;吕国强;邢爱民
作者机构：
昆明理工大学复杂有色金属资源清洁利用省部共建国家重点实验室,云南昆明650093;昆明理工大学冶金与能源工程学院,真空冶金国家工程实验室,云南昆明650093;云南能投化工有限责任公司,云南昆明650093
文献出处：
引用格式：
[1]杨雄东;王均鹏;马文会;吕国强;邢爱民-.Sb在高硅铝硅合金电磁分离过程中的变质行为)[J].过程工程学报,2022(01):62-71
A类：
高硅铝硅合金,86wt,90wt,81wt,电磁定向凝固
B类：
Sb,磁分离,分离过程,45wt,Si,下拉,拉速,分离效果,变质机理,过共晶铝硅合金,合金熔体,金部,硅铝比,初晶硅,富集区,硅含量,增至,变质剂,共晶硅相,A1
AB值：
0.215608
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