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量子点诱导高氮掺杂提高氧化石墨烯基超级电容器性能
文献摘要：
使用氧化石墨烯量子点(GQD)嵌入氧化石墨烯(GO)层间,在NH3氛围下采用光照辐射进行还原和氮掺杂,制备一种类"三明治"结构的超级电容器电极材料.光化学还原法可以在短时间内实现材料的还原和掺氮.氧化石墨烯量子点丰富的边缘活性位点使氮的原子数分数高达18.19％,大幅提高了材料的湿润性和电导率.同时量子点嵌入氧化石墨烯层间,可以有效防止氧化石墨烯片的堆叠,增加材料中离子通道数量.制备的两电极超级电容器在0.3 A/g电流密度下的比容量高达380 F/g,电极充放电循环2 000次以后,电容量仍然保持初始电容量的86％.这种富氮石墨烯在新型储能系统中具有潜在的应用前景.
文献关键词：
氧化石墨烯(GO);氧化石墨烯量子点(GQD);超级电容器;储能系统;氮掺杂
中图分类号：
作者姓名：
李震领;秦思远;杜强;李维;刘爽;闵济海
作者机构：
中广核(北京)新能源科技有限公司,北京 100071;南京天创电子技术有限公司,南京 210000
文献出处：
引用格式：
[1]李震领;秦思远;杜强;李维;刘爽;闵济海-.量子点诱导高氮掺杂提高氧化石墨烯基超级电容器性能)[J].微纳电子技术,2022(08):826-830
A类：
B类：
导高,氮掺杂,高氧,氧化石墨烯,石墨烯基,电容器性能,石墨烯量子点,GQD,NH3,围下,射进,三明治,超级电容器电极材料,光化学,化学还原,还原法,活性位点,原子数,湿润性,电导率,石墨烯片,堆叠,离子通道,通道数,电流密度,比容量,充放电,电容量,新型储能系统
AB值：
0.252224
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