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六方相反铁磁材料Mn3Ge的交换偏置效应
文献摘要：
交换偏置效应对于微型磁存储器件中稳定的磁畴结构具有重要的作用,研究在室温下仍具有交换偏置效应的材料对于新一代自旋电子器件具有重要意义.采用助熔剂法成功合成Mn3Ge晶体.利用X射线衍射仪(XRD)和能量色散X射线光谱仪(EDS)对材料进行了表征,并利用磁学性质测量系统(MPMS)进行了磁学性质测试.磁化曲线显示在5×104 Oe(1 A·m-1=4π×10-3 Oe)磁场冷却下,温度为2 K时Mn3Ge的交换偏置场强度为6 400 Oe,温度为300 K时Mn3Ge的交换偏置场强度为360 Oe,说明这种反铁磁材料在室温磁存储器件应用领域具有极大潜力.在5×104 Oe磁场冷却下定温循环测量的磁滞回线有明显偏移,表明材料中存在锻炼效应,从而进一步验证交换偏置效应是一种本征行为.
文献关键词：
反铁磁材料;交换偏置效应;磁存储器件;助熔剂法;锻炼效应
中图分类号：
作者姓名：
李浩宇;高湉
作者机构：
上海电力大学数理学院,上海 200090
文献出处：
引用格式：
[1]李浩宇;高湉-.六方相反铁磁材料Mn3Ge的交换偏置效应)[J].微纳电子技术,2022(07):644-648,695
A类：
反铁磁材料,Mn3Ge,磁存储器,磁存储器件,锻炼效应
B类：
六方相,交换偏置效应,磁畴结构,自旋电子器件,助熔剂法,能量色散,光谱仪,EDS,磁学性质,测量系统,MPMS,磁化曲线,Oe,偏置场,场强,器件应用,下定,定温,磁滞回线
AB值：
0.174605
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