典型文献
两种干扰校正方式下电感耦合等离子体原子发射光谱法测定钼铝合金中硅的方法比较
文献摘要：
采用电感耦合等离子体原子发射光谱法(ICP-AES)测定钼铝合金中硅时,选择Si 288.158 nm为分析谱线,此时基体钼的特征谱线Mo 288.137 nm会对Si 288.158 nm产生光谱干扰,而基体空白扣除与多谱线拟合(MSF)两种干扰校正方式均可校正钼基体产生的干扰.通过比较基体空白扣除与MSF两种干扰校正方式下对应检测方法的校准曲线线性方程和线性相关系数、灵敏度、定量限、精密度和正确度等方法性能指标,分析了两种干扰校正方式校正干扰的效果.结果表明:基体空白扣除和MSF两种干扰校正方式下测定方法的校准曲线斜率和灵敏度基本一致,MSF校正下的校准曲线线性相关系数明显优于基体空白扣除校正;两种校正方式下方法的定量限分别为0.12 μg/mL和0.079 μg/mL,可见MSF校正下方法定量限更优.对硅质量分数分别为0.023％、0.063％、0.136％、0.264％和0.454％的5个钼铝合金样品中硅进行测定,其中基体空白扣除校正下测定结果的相对标准偏差(RSD)在0.62％～1.9％之间,加标回收率在90％～104％之间;MSF校正下测定结果的相对标准偏差在0.55％～1.3％之间,加标回收率在95％～103％之间.多谱线拟合校正下检测方法的精密度和正确度指标均优于基体空白扣除法.
文献关键词：
电感耦合等离子体原子发射光谱法(ICP-AES);干扰校正;基体空白扣除;多谱线拟合(MSF);钼铝合金;硅
中图分类号：
作者姓名：
颜燕
作者机构：
陕西省宝鸡教育学院,陕西宝鸡721000
文献出处：
引用格式：
[1]颜燕-.两种干扰校正方式下电感耦合等离子体原子发射光谱法测定钼铝合金中硅的方法比较)[J].冶金分析,2022(03):52-58
A类：
钼铝合金,基体空白扣除
B类：
干扰校正,电感耦合等离子体原子发射光谱法,方法比较,ICP,AES,Si,特征谱线,Mo,生光,光谱干扰,MSF,钼基体,校准曲线,线性方程,线性相关系数,精密度,正确度,测定方法,正下方,方法定量限,硅质,测定结果,相对标准偏差,RSD,加标回收率,合校,除法
AB值：
0.154689
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