典型文献
VGF法生长InP单晶循环水的影响分析
文献摘要：
磷化铟与砷化镓同为Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料,广泛应用于光通信、微波毫米波通信等领域.由于垂直温度梯度凝固(VGF)技术中,晶体受到的温度梯度小,能生长出低位错,甚至零位错的单晶,而被广泛应用于磷化铟单晶的制备中.影响磷化铟单晶生长的因素很多,其中最重要的是热场环境,而冷却循环水能够起到调节热场梯度的作用,有较大的研究意义.通过控制单晶炉循环水进水温度及进水流量,探究了进水温度22～34℃与进水流量60～300 L/h的不同组合条件下,InP单晶生长的不同结果,并对不同进水温度和水流量对单晶生长的影响规律进行了分析.结果表明,循环水的温度和流量对热场温度梯度有影响,在进水温度30℃,流量100 L/h时,磷化铟的单晶率有所提升,位错密度在50/cm2以下.
文献关键词：
垂直温度梯度凝固技术;InP单晶;循环水;水流量;温度
中图分类号：
作者姓名：
叶晓达;赵兴凯;韩家贤;韦华;王顺金;邱锋;柳廷龙;刘汉保;黄平
作者机构：
云南鑫耀半导体材料有限公司,云南 昆明 650503;云南大学材料与能源学院,云南 昆明 650503
文献出处：
引用格式：
[1]叶晓达;赵兴凯;韩家贤;韦华;王顺金;邱锋;柳廷龙;刘汉保;黄平-.VGF法生长InP单晶循环水的影响分析)[J].云南化工,2022(10):24-28
A类：
垂直温度梯度凝固技术
B类：
VGF,InP,磷化铟,砷化镓,化合物半导体,半导体材料,光通信,微波毫米波,毫米波通信,低位,零位,单晶生长,热场,冷却循环水,水能,研究意义,制单,单晶炉,进水温度,水流量,不同组合,位错密度
AB值：
0.258506
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