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6英寸SiC单晶质量对GaN外延薄膜的影响
文献摘要：
大直径高质量SiC衬底对提高SiC和GaN器件的良率、降低器件成本具有重要意义.然而,随着单晶直径的扩大,如何实现衬底片内单晶质量均匀性是亟需解决的问题之一.使用数值模拟软件构建了两种生长模型并研究其温场分布,模拟结果表明微凸温场生长的晶体外形更加平整.对两个批次的6英寸(1英寸= 2.54 cm)SiC单晶衬底分别进行了(004)面X射线摇摆曲线全图扫描,评价了衬底结晶质量,并在衬底上进行了 GaN外延生长.结果表明,采用结晶质量好且均匀的SiC单晶衬底,外延生长的GaN质量更高.
文献关键词：
6英寸;SiC衬底;摇摆曲线;单晶质量均匀性;GaN外延
中图分类号：
作者姓名：
房玉龙;张志荣;尹甲运;王波;芦伟立;高楠;陈秀芳
作者机构：
中国电子科技集团公司 第十三研究所,石家庄 050051;山东大学 晶体材料国家重点实验室新一代半导体材料研究院,济南 250100
文献出处：
引用格式：
[1]房玉龙;张志荣;尹甲运;王波;芦伟立;高楠;陈秀芳-.6英寸SiC单晶质量对GaN外延薄膜的影响)[J].半导体技术,2022(05):381-385
A类：
单晶质量均匀性
B类：
英寸,SiC,GaN,外延薄膜,大直径,良率,底片,数值模拟软件,软件构建,生长模型,温场分布,单晶衬底,摇摆曲线,结晶质量,外延生长
AB值：
0.251411
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