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MC法优化宽能型高纯锗探测器结构参数
文献摘要：
利用EGS4模拟计算,对宽能型高纯锗探测器结构参数进行优化,根据不同能量γ射线在锗晶体中的作用区域不同的特性,调整锗晶体体积,推测缺省的前接触面死层厚度和背接触区尺寸参数,使模拟计算的标准点源和体源特征γ射线探测效率与实验测量值偏差最小.利用优化后的锗晶体结构参数模拟计算了能量范围26.34～1 408.01 keV标准点源γ射线探测效率,与实验测量值偏差小于5％,不同距离下137Cs 661.7 keV探测效率偏差小于2％,标准体源探测效率偏差小于3％.
文献关键词：
MC法;宽能高纯锗;探测效率;EGS4
中图分类号：
作者姓名：
孙宏清;马鹏;党云博
作者机构：
中国原子能科学研究院,北京102413
文献出处：
引用格式：
[1]孙宏清;马鹏;党云博-.MC法优化宽能型高纯锗探测器结构参数)[J].核电子学与探测技术,2022(05):781-785
A类：
EGS4,锗晶体,宽能高纯锗
B类：
MC,高纯锗探测器,作用区域,缺省,接触面,接触区,尺寸参数,准点,点源,体源,射线探测,探测效率,实验测量,测量值,量值偏差,晶体结构,参数模拟,keV,不同距离,137Cs
AB值：
0.29465
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