典型文献
改善硅外延片电阻率和厚度一致性分析
文献摘要：
阐述硅外延片在电阻率和厚度一致性的问题,改善其一致性外延片的制备方法,包括装入衬底片、衬底气相抛光、变流量吹扫、本征生长、外延生长的工艺流程和工艺参数.
文献关键词：
硅外延片;一致性;电阻率
中图分类号：
作者姓名：
张晓博
作者机构：
河北普兴电子科技股份有限公司,河北 050200
文献出处：
引用格式：
[1]张晓博-.改善硅外延片电阻率和厚度一致性分析)[J].集成电路应用,2022(01):54-55
A类：
B类：
硅外延片,电阻率,厚度一致性,一致性分析,制备方法,装入,衬底,底片,底气,抛光,变流量,吹扫,外延生长
AB值：
0.391842
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