典型文献
理论计算在GaN范德华异质结的光催化的研究进展
文献摘要：
近年来,后石墨烯时代许多新型二维材料表现出优异的物理化学性能,同时以二维半导体材料为基础构建的二维范德华异质结复合材料为改善光催化剂性能开辟了新的研究方向.二维范德华异质结光催化剂可以增强对可见光的吸收和降低电子和空穴的复合,极大提升光催化性能.氮化镓(gallium?nitride,GaN)材料具有禁带宽度大、电子漂移速度快、抗腐蚀性强和耐高温等优点,这为其作为半导体光催化剂提供了可能.介绍了光催化剂材料筛选和二维GaN基范德华异质结研究进展等,通过第一性原理密度泛函理论对二维GaN基异质结体系的光催化性质进行研究分析.
文献关键词：
二维材料;范德华异质结;第一性原理;GaN;光催化
中图分类号：
作者姓名：
应豪;徐京城
作者机构：
上海理工大学 材料与化学学院,上海 200093
文献出处：
引用格式：
[1]应豪;徐京城-.理论计算在GaN范德华异质结的光催化的研究进展)[J].有色金属材料与工程,2022(03):51-60
A类：
B类：
GaN,范德华异质结,后石,石墨烯,二维材料,材料表现,物理化学性能,二维半导体材料,催化剂性能,能开,可见光,空穴,光催化性能,氮化镓,gallium,nitride,禁带宽度,电子漂移速度,抗腐蚀性,耐高温,半导体光催化剂,材料筛选,第一性原理,密度泛函理论,结体,催化性质
AB值：
0.264468
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