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天域半导体:聚焦核心技术攻关推动碳化硅半导体产业发展
文献摘要：
第三代半导体碳化硅(SiC)作为典型的宽禁带半导体材料,因其优越的物理特性,非常适合在大功率、高温和高频环境下应用,也是目前产业化程度最高的三代半材料,其产品应用场景已覆盖电源/功率因数校正(PFC)、光伏、新能源汽车/充电桩、风能、轨道交通、智能电网等诸多领域.与传统的硅基器件相比,碳化硅制造出的电力电子器件体积更小、功率更大、更高效,系统级的成本也更低.
文献关键词：
中图分类号：
作者姓名：
刘启强;栗子涵
作者机构：
文献出处：
引用格式：
[1]刘启强;栗子涵-.天域半导体:聚焦核心技术攻关推动碳化硅半导体产业发展)[J].广东科技,2022(01):24-26
A类：
B类：
天域,聚焦核心,技术攻关,碳化硅,半导体产业,第三代半导体,SiC,宽禁带半导体,半导体材料,物理特性,非常适合,大功率,产品应用,功率因数校正,PFC,新能源汽车,充电桩,风能,智能电网,硅基,电力电子器件,系统级
AB值：
0.394982
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