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二级EMI滤波器磁场近场耦合效应研究
文献摘要：
共模扼流圈是电磁干扰(EMI)滤波器的重要部件.本文通过对共模扼流圈进行精确建模,分析其磁场近场耦合特性,并应用计算电磁学方法提取扼流圈与相邻器件间的耦合系数,最终建立完整的二级EMI滤波器电路模型.计算结果表明,磁场近场耦合效应对滤波器传导骚扰抑制性能有显著影响;同时,对磁场近场耦合效应进行深入研究后,滤波器差模插入损耗的预测精度提高约20 dB,最终验证了本文分析方法的可靠性、准确性.
文献关键词：
共模扼流圈;滤波器;近场耦合;传导电磁干扰;插入损耗
中图分类号：
作者姓名：
杨湘木;王会
作者机构：
珠海格力电器股份有限公司 珠海519070
文献出处：
引用格式：
[1]杨湘木;王会-.二级EMI滤波器磁场近场耦合效应研究)[J].日用电器,2022(11):46-52,84
A类：
共模扼流圈,传导骚扰抑制
B类：
EMI,滤波器,近场耦合,耦合效应,圈进,精确建模,耦合特性,计算电磁学,耦合系数,电路模型,抑制性能,插入损耗,dB,传导电磁干扰
AB值：
0.19876
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