典型文献
用于CSNS反角白光中子源的双屏栅电离室设计及性能研究
文献摘要：
为测量中国散裂中子源(China Spallation Neutron Source,CSNS)反角白光中子源150 keV以下能区飞行时间法中子能谱,研制基于10 B(n,α)7 Li和6 Li(n,t)α核反应的双屏栅电离室,采用薄窗和薄底衬的结构设计.通过Garfield++、SRIM和Simcenter Magnet Electric程序对屏栅电离室的工作气体、极间距和电场分布等工作参数进行模拟设计,并采用α源及CF4、P10、90％Ar-10％CO2三种气体对电离室进行性能参数测试.结果表明,选定电子漂移速度快、扩散系数小,以及阻止本领大的C F4作为CSNS/Back-n束上测试工作气体,阴极-栅极和栅极-阳极间距分别为20 mm和5 mm.屏栅电离室收集区φ74 mm范围内是电场均匀区,场强的相对偏差≤0.03％;性能测试结果表明,工作气体为CF4时,电离室对239Pu/241Am/244Cm混合α面源具有很好的能量分辨,最佳能量分辨率为2.4％@5.48 MeV.对比平板型电离室和硅微条探测器的测量结果,验证了本工作研制的屏栅型电离室的能量分辨优势.
文献关键词：
CSNS反角白光中子源;屏栅电离室;中子能谱测量
中图分类号：
作者姓名：
何逾洋;刘蕴韬;刘毅娜;王志强;李春娟;夏莉;骆海龙
作者机构：
中国原子能科学研究院 核技术综合研究所,北京 102413;计量与校准技术国防科技重点实验室,北京 102413
文献出处：
引用格式：
[1]何逾洋;刘蕴韬;刘毅娜;王志强;李春娟;夏莉;骆海龙-.用于CSNS反角白光中子源的双屏栅电离室设计及性能研究)[J].同位素,2022(04):281-288
A类：
屏栅电离室,Garfield++,244Cm
B类：
CSNS,反角,白光中子源,双屏,中国散裂中子源,China,Spallation,Neutron,Source,keV,飞行时间法,Li,核反应,底衬,SRIM,Simcenter,Magnet,Electric,极间距,电场分布,工作参数,模拟设计,CF4,P10,Ar,性能参数,参数测试,电子漂移速度,扩散系数,阻止本领,Back,测试工作,阴极,栅极,阳极,收集区,场强,相对偏差,239Pu,241Am,面源,佳能,能量分辨率,MeV,板型,硅微条探测器,中子能谱测量
AB值：
0.392095
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