典型文献
平面五配位硅、锗XBe5H6(X=Si,Ge)团簇
文献摘要：
采用密度泛函理论PBE0方法,在aug-cc-pVTZ水平上理论预测了含平面五配位硅和锗原子的XBe5H6(X=Si,Ge)团簇.势能面系统搜索及高精度量化计算表明,它们均为全局极小结构.XBe5H6(X=Si,Ge)团簇整体呈完美的扇形结构:Si/Ge原子被5个金属Be原子配位;4个H原子以桥基方式与Be原子相键连,剩余的2个H原子以端基方式与两端的Be原子成键.化学键分析表明,XBe5H6(X=Si,Ge)团簇中XBe5单元具有完全离域的1个π及3个σ键,外围铍氢间形成4个Be—H—Be三中心二电子(3c-2e)键及2个定域的Be—H键.XBe5单元上离域的2π及6σ电子赋予体系π和σ双重芳香性,并使Si/Ge原子满足八隅律(或八电子规则).能量分解-化学价自然轨道分析揭示,Si/Ge和Be5H6之间主要为电子共享键.
文献关键词：
平面五配位硅;全局极小结构;化学键;π/σ双重芳香性;八电子规则
中图分类号：
作者姓名：
郭谨昌;刘芳林
作者机构：
山西大学分子科学研究所,纳米团簇实验室,太原030006
文献出处：
引用格式：
[1]郭谨昌;刘芳林-.平面五配位硅、锗XBe5H6(X=Si,Ge)团簇)[J].高等学校化学学报,2022(04):133-142
A类：
平面五配位硅,XBe5H6,化学键分析,XBe5,八电子规则,Be5H6
B类：
Si,Ge,团簇,密度泛函理论,PBE0,aug,cc,pVTZ,理论预测,势能面,量化计算,全局极小结构,扇形,桥基,端基,成键,三中,3c,2e,芳香性,能量分解,自然轨道
AB值：
0.267458
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