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硅基光电异质集成的发展与思考
文献摘要：
光电子器件与传统微电子硅基互补金属氧化物半导体(CMOS)芯片的集成是未来信息技术的重要发展方向.现有硅基光电子集成技术得益于CMOS技术高集成度、低成本的优势,但主要采用硅材料制成,受限于硅材料本身的光电性质.硅基光电异质集成技术在利用CMOS晶圆制造优势的同时可兼容更多性能优异的光电异质材料,是未来光电集成技术的主要发展方向.文章介绍了该方向世界范围内的飞速发展形势及我国在该领域的研究基础,探讨了该领域未来的发展趋势和蕴藏的重要创新机遇.
文献关键词：
光电集成;硅基光电子;异质集成
中图分类号：
作者姓名：
王子昊;王霆;张建军
作者机构：
中国科学院物理研究所 北京 100190;松山湖材料实验室 东莞 523808;中国科学院物理研究所
文献出处：
引用格式：
[1]王子昊;王霆;张建军-.硅基光电异质集成的发展与思考)[J].中国科学院院刊,2022(03):360-367
A类：
B类：
异质集成,发展与思考,光电子器件,微电子,互补金属氧化物半导体,CMOS,未来信息,硅基光电子,电子集成技术,高集成度,硅材料,受限于,光电性质,晶圆制造,异质材料,光电集成,发展形势,蕴藏
AB值：
0.313946
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