典型文献
MoS2纳米薄膜及纳米线结构制备研究
文献摘要：
使用射频磁控溅射法在硅和玻璃衬底上制备系列MoS2纳米薄膜,并利用SEM、XRD对薄膜的表面形貌和微观结构进行表征,分析了衬底、功率和退火温度等制备条件对MoS2纳米薄膜表面形貌及结晶状况的影响.研究结果表明:退火温度对薄膜的表面形貌的再次生长有明显作用,在溅射功率40 W、本底真空4.0×10-4 Pa、工作气压3 Pa、溅射时间4 h的条件下可以制备较为平整的MoS2薄膜,尤其在退火温度300℃时MoS2薄膜表面可以生长出直径约为50 nm、长度为1.8μm的纳米线.
文献关键词：
磁控溅射;MoS2纳米薄膜;表面形貌;微观结构;纳米线
中图分类号：
作者姓名：
成桢;郭炳瑞
作者机构：
西安文理学院机械与材料工程学院,陕西 西安710065;陕西省表面工程与再制造重点实验室,陕西 西安710065
文献出处：
引用格式：
[1]成桢;郭炳瑞-.MoS2纳米薄膜及纳米线结构制备研究)[J].中国钼业,2022(01):28-32
A类：
B类：
MoS2,纳米薄膜,纳米线,线结,射频磁控溅射,磁控溅射法,衬底,表面形貌,退火温度,制备条件,结晶状,溅射功率,本底,Pa,工作气压,溅射时间,直径约
AB值：
0.25377
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