典型文献
一种基于0.18 μm SiGe工艺的8 GHz前置分频器
文献摘要：
随着无线通信技术的高速发展,对高频率高带宽的频率源需求愈加迫切.在高频大带宽频率源中,高性能的分频器是一个重要的部分.为满足高频宽带通信的应用需求,设计实现了基于电流模逻辑结构的高频宽带除8/9、16/17前置分频器.通过分析CML锁存器工作原理与性能,设计了优化参数的集合与门的CML结构D触发器、双路选择器、逻辑或门结构,并基于该D触发器、选择器、或门设计了除8/9、16/17前置分频器.前置分频器使用0.18 μm SiGe BiCMOS工艺流片并测试,测试结果表明,在3.3 V电源电压下,分频器工作频率可达20 MHz～8 GHz,带宽约8 GHz,功耗6.6 mW.与其他设计相比,设计的分频器功耗低同时还具有较高的工作频率和大的带宽.
文献关键词：
CML;前置分频器;HBT;SiGe;BiCMOS
中图分类号：
作者姓名：
张红;张振宁;叶松
作者机构：
成都信息工程大学通信工程学院,四川 成都610225;成都铱通科技有限公司,四川 成都610225
文献出处：
引用格式：
[1]张红;张振宁;叶松-.一种基于0.18 μm SiGe工艺的8 GHz前置分频器)[J].成都信息工程大学学报,2022(04):392-395
A类：
前置分频器
B类：
SiGe,GHz,无线通信技术,高频率,高带宽,频率源,大带宽,带宽频率,频宽,宽带通信,应用需求,设计实现,电流模逻辑,逻辑结构,CML,锁存器,优化参数,触发器,双路,选择器,BiCMOS,流片,电源电压,工作频率,MHz,功耗,mW,HBT
AB值：
0.307456
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