典型文献
AlN陶瓷腔体的激光加工和芯片埋置工艺
文献摘要：
AlN作为陶瓷封装材料具有优异的电性能和热性能.针对高功率、高频多芯片组件高密度组装的需要,采用激光加工技术在AlN陶瓷基片上直接加工腔体结构成型.通过构建激光加工腔体的理论模型,对比试验结果,分析激光功率、频率、扫描速率及加工路径等工艺参数对腔体刻蚀速率、腔体底部粗糙度的影响规律.阐述激光加工遍数与刻蚀深度的线性关系,测试腔体底部的平面度,获得了预定深度的腔体结构.完成了芯片在腔体内埋置,结果表明,激光直接加工的腔体结构可以满足芯片埋置的应用要求.
文献关键词：
AlN陶瓷;腔体;激光加工;芯片埋置
中图分类号：
作者姓名：
王运龙;郭育华;魏晓旻
作者机构：
中国电子科技集团公司第三十八研究所,安徽合肥230088
文献出处：
引用格式：
[1]王运龙;郭育华;魏晓旻-.AlN陶瓷腔体的激光加工和芯片埋置工艺)[J].电子工艺技术,2022(01):14-17,45
A类：
芯片埋置
B类：
AlN,腔体,陶瓷封装,封装材料,电性能,热性能,高功率,多芯片组件,高密度组装,激光加工技术,陶瓷基片,激光功率,扫描速率,加工路径,刻蚀速率,粗糙度,遍数,刻蚀深度,平面度,预定,定深,应用要求
AB值：
0.316409
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