典型文献
基于DRAM牺牲Cache的异构内存页迁移机制
文献摘要：
当海量数据请求访问异构内存系统时,异构内存页在动态随机存储器(dynamic random access memory,DRAM)和非易失性存储器(non-volatile memory,NVM)之间进行频繁的往返迁移.然而,应用于传统内存页的迁移策略难以适应内存页"冷""热"度的快速动态变化,这使得从DRAM迁移至NVM的"冷"页面可能在短时间内变"热"从而产生大量冗余的迁移操作.当前的相关研究都仅着眼于正在执行迁移的页面而忽视了等待迁移和完成迁移的页面,且判断"冷""热"程度的标准不一,使得冗余的迁移大量产生.因此,提出了一个基于DRAM牺牲Cache的异构内存页迁移机制(VC-HMM),使用非易失性存储器中工艺较为成熟的相变存储器(phase change memory,PCM),通过在DRAM和PCM之间增加一个由DRAM构成的小容量牺牲Cache将系统主存DRAM中变"冷"的页面迁移到牺牲Cache中,以避免主存页面在短时间内再次变"热"而造成的冗余迁移.同时,还使得迁回PCM的部分页面不需要写回,减少PCM存储单元的写入操作次数,延长PCM的使用寿命.另外,对于不同的工作负载,VC-HMM可以自适应设置迁移操作的参数,增加迁移的合理性.实验结果表明:与其他迁移策略(CoinMigrator,MQRA,THMigrator)相比,VC-HMM平均减少了至少62.97％的PCM 写操作次数、22.72％的平均访问时延、38.37％的重复迁移操作以及3.40％的系统能耗.
文献关键词：
VC-HMM;异构内存系统;DRAM牺牲Cache;内存页迁移;非易失性存储器
中图分类号：
作者姓名：
裴颂文;钱艺幻;叶笑春;刘海坤;孔令和
作者机构：
上海理工大学光电信息与计算机工程学院 上海 200093;计算机体系结构国家重点实验室(中国科学院计算技术研究所)北京 100190;华中科技大学计算机科学与技术学院 武汉 430074;上海交通大学计算机科学与工程系 上海 200240
文献出处：
引用格式：
[1]裴颂文;钱艺幻;叶笑春;刘海坤;孔令和-.基于DRAM牺牲Cache的异构内存页迁移机制)[J].计算机研究与发展,2022(03):568-581
A类：
内存页迁移,异构内存系统,CoinMigrator,MQRA,THMigrator
B类：
DRAM,Cache,迁移机制,海量数据,数据请求,动态随机,dynamic,random,access,memory,非易失性存储器,volatile,NVM,行频,往返,迁移策略,速动,移至,页面,VC,HMM,相变存储器,phase,change,PCM,小容,主存,迁回,分页,存储单元,写入,操作次数,应设,时延,系统能耗
AB值：
0.242394
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