典型文献
宽禁带半导体器件脉冲电压测试及校准技术研究
文献摘要：
针对第三代宽禁带(WBG)半导体分立器件的脉冲测试及测试用脉冲电压信号的校准需求,在WBG半导体分立器件双脉冲测试(DPT)方法和原理研究的基础上,分析了目前国内外常用WBG半导体分立器件测试设备的技术现状,提出了3 kV/50μs脉冲电压的精密校准难题.进一步对脉冲高压校准现状及校准方法进行研究,通过电阻式分压器机理分析、设计及仿真,研制出了耐压3 kV、上升时间140 ns、幅值线性度0.03％的精密分压器.采用自研制的脉冲分压器对半导体分立器件测试设备的脉冲电压进行校准,校准结果的不确定度为0.5％,满足脉冲高压校准需求.
文献关键词：
宽禁带半导体;测试设备;双脉冲测试;脉冲电压校准
中图分类号：
作者姓名：
饶张飞;秦凯亮;薛栋;金红霞
作者机构：
西安微电子技术研究所,西安710119
文献出处：
引用格式：
[1]饶张飞;秦凯亮;薛栋;金红霞-.宽禁带半导体器件脉冲电压测试及校准技术研究)[J].宇航计测技术,2022(06):13-21
A类：
脉冲电压校准
B类：
宽禁带半导体,半导体器件,电压测试,校准技术,第三代,WBG,分立器件,试用,电压信号,双脉冲测试,DPT,器件测试,测试设备,技术现状,kV,精密校准,校准方法,电阻式,分压器,机理分析,耐压,上升时间,ns,线性度,压进,校准结果,不确定度
AB值：
0.299413
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