典型文献
兼容5G毫米波n257和n258频段的氮化镓低噪声放大器设计研究
文献摘要：
基于100 nm的氮化镓(Gallium Nitride,GaN)高电子迁移率晶体管(High Electron Mobility Transistor,HEMT)工艺设计了一款毫米波低噪声放大器(Low Noise Amplifier,LNA)单片式微波集成电路(Monolithic Microwave Integrated Circuit,MMIC)芯片.该款低噪声放大器采用三级级联的拓扑结构,对带宽、噪声和增益进行了联合优化设计.测试结果显示,工作频率范围覆盖24～30 GHz,可兼顾5G毫米波n257(26.5～29.5 GHz)和n258(24.25～27.5 GHz)频段,噪声系数可达到2.4～2.5 dB的水平,小信号增益在21.1～24.1 dB之间,输出1 dB功率压缩点大于14.4 dBm的水平.
文献关键词：
低噪声放大器;氮化镓(GaN);毫米波
中图分类号：
作者姓名：
张耀;张志浩;章国豪
作者机构：
广东工业大学 信息工程学院, 广东 广州 510006;河源广工大协同创新研究院, 广东 河源 517000
文献出处：
引用格式：
[1]张耀;张志浩;章国豪-.兼容5G毫米波n257和n258频段的氮化镓低噪声放大器设计研究)[J].广东工业大学学报,2022(06):68-72
A类：
n257,n258
B类：
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AB值：
0.392006
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