典型文献
H型栅PMOS跨导双峰效应建模
文献摘要：
H型栅SOI PMOS结构因为其抗辐照能力强,对称性较好,在SOI电路设计中得到广泛应用.但其跨导在栅电压变化时具有明显的双峰效应,而通用的BSIMSOI模型无法反映出该类器件的跨导双峰效应,为器件特性的仿真和预测带来了挑战.针对此问题,基于BSIMSOI仿真模型,利用子电路定义了两条并联的晶体管沟道,建立了H型栅PMOS结构的SPICE模型.该模型可有效表现SOI工艺下的PMOS器件的双峰效应.实验结果表明,与BSIMSOI相比,该文提出的模型误差均方根值(RMS)从6.91％下降至1.91％,同时,利用BSIMSOI的bin参数后,将W较小尺寸的模型RMS值降低了60％以上,可以良好地适用于SOI工艺H型栅PMOS结构建模和电路设计当中.
文献关键词：
BSIMSOI;器件建模;H型栅PMOS;跨导双峰
中图分类号：
作者姓名：
彭宏伟;曹梦玲;黄天;王青松;朱少立;徐大为
作者机构：
中国电子科技集团第五十八研究所 江苏无锡 214035
文献出处：
引用格式：
[1]彭宏伟;曹梦玲;黄天;王青松;朱少立;徐大为-.H型栅PMOS跨导双峰效应建模)[J].电子科技大学学报,2022(06):947-952
A类：
跨导双峰,BSIMSOI
B类：
PMOS,抗辐照,电路设计,电压变化,器件特性,子电路,晶体管,管沟,沟道,SPICE,模型误差,均方根值,RMS,bin,小尺寸,结构建模,器件建模
AB值：
0.279361
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