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新型黄色长余辉材料γ-SrGa2O4:Bi3+的制备及性能
文献摘要：
长余辉材料中的深陷阱具有优异的能量存储和释放性能,因此在光学信息存储方面有很大应用优势.本文采用高温固相法合成了新型黄色长余辉材料γ-SrGa2O4:Bi3+,其发射光谱是以565 nm为中心、范围为400～800 nm的宽带发射,该发射归属于Bi3+离子的3P1→1S0跃迁.在紫外灯照射后,观察到γ-SrGa2O4:Bi3+样品明亮的黄色长余辉发光.通过热释光谱分析可知γ-SrGa2O4:Bi3+中主要有三种陷阱,其深度分别为0.678,0.838,0.978 eV.深度为0.678 eV的浅陷阱是该材料产生长余辉现象的主要原因,而深度为0.838 eV的深陷阱对应的热释峰强度在12 h后仅下降18.6％,这说明深陷阱中电子释放缓慢.基于材料的深陷阱性能,设计了字母图案并对其进行光学信息存储实验,结果表明该材料在信息存储方面有潜在应用前景.
文献关键词：
信息存储;γ-SrGa2O4:Bi3+;黄色长余辉;陷阱
中图分类号：
作者姓名：
王亚杰;王忠志;王育华
作者机构：
兰州大学 材料与能源学院,甘肃 兰州 730000;包头稀土研究院,内蒙古 包头 014030
文献出处：
引用格式：
[1]王亚杰;王忠志;王育华-.新型黄色长余辉材料γ-SrGa2O4:Bi3+的制备及性能)[J].发光学报,2022(10):1542-1551
A类：
黄色长余辉,SrGa2O4
B类：
长余辉材料,Bi3+,制备及性能,深陷阱,能量存储,释放性能,信息存储,大应用,应用优势,高温固相法,发射光谱,宽带发射,归属于,3P1,1S0,跃迁,紫外灯,明亮,长余辉发光,热释光,光谱分析,eV,峰强度,放缓,字母,图案,潜在应用
AB值：
0.256718
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