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窄带型Eu2+掺杂荧光粉理论研究进展
文献摘要：
近年来,用于制备白光发光二极管(LED)的窄带发射荧光粉在降低能源消耗、提高白光质量以及保持色度稳定等方面具有重要作用,因而被研究者们广泛关注.Eu2+离子独特的4f-5d跃迁以及与局部环境的依赖性,为制备窄带发射荧光粉提供了可能.但是,目前窄带发射的理论尚不完备,大多Eu2+掺杂窄带发射荧光粉的研发均基于大量的重复性试验.本文以位形坐标模型为基础,从理论计算方面对窄带型Eu2+掺杂荧光粉的研究进行综述,重点讨论局部配位环境、晶体结构、斯托克斯位移以及耦合声子频率等因素对Eu2+离子发射半峰宽(FWHM)的影响,期望为新型Eu2+掺杂窄带发射荧光粉提供理论依据.
文献关键词：
Eu2+掺杂荧光粉;窄带发射;配位环境;斯托克斯位移;声子频率
中图分类号：
作者姓名：
朱坤领;游欢欢;高发明;贾永超
作者机构：
燕山大学 环境与化学工程学院,河北 秦皇岛 066000
文献出处：
引用格式：
[1]朱坤领;游欢欢;高发明;贾永超-.窄带型Eu2+掺杂荧光粉理论研究进展)[J].发光学报,2022(09):1405-1412
A类：
位形坐标
B类：
带型,Eu2+,荧光粉,白光发光二极管,LED,窄带发射,降低能源消耗,光质,色度,4f,5d,跃迁,局部环,重复性试验,配位环境,晶体结构,斯托克斯位移,合声,声子频率,半峰宽,FWHM
AB值：
0.248319
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