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Ce3+掺杂Y-Si-O-N体系荧光材料晶体及能带/电子结构对其发光特性的影响
文献摘要：
当前白光LED主要通过采用蓝光芯片激发黄色发光YAG:Ce3+来实现,由于光谱中缺少足够的红光成分,光源通常存在显色性能较差的问题.因此,长波荧光材料(>600 nm)的应用对于高品质白光LED照明的实现尤为重要.为了进一步掌握配位结构对Ce3+能带/电子结构的影响规律,指导Ce3+离子掺杂长波荧光材料的设计研发,本文通过第一性原理计算,利用广义梯度近似(GGA)中密度泛函理论(DFT)深入研究了Y-Si-N-O体系荧光材料Y2Si3N4O3:Ce3+、Y4Si2N2O7:Ce3+和Y3Si5N9O:Ce3+的晶体及能带/电子结构特性,并结合实验测试结果对晶体及能带/电子结构与Ce3+发光特性之间的内在关系进行分析.研究结果表明,针对Ce3+离子掺杂长波荧光材料的设计研发,可以重点对具有高含N量、短Ce—N配位键、低对称性配位结构特性的氧氮化物材料进行筛选.
文献关键词：
LED照明显示;Ce3+离子长波长发光;第一性原理计算;晶体结构;能带/电子结构
中图分类号：
作者姓名：
胡翔宇;邾强强;翟玥;张宏;黄敏航;孟遥;王乐
作者机构：
中国计量大学 光学与电子科技学院,浙江 杭州 310018
文献出处：
引用格式：
[1]胡翔宇;邾强强;翟玥;张宏;黄敏航;孟遥;王乐-.Ce3+掺杂Y-Si-O-N体系荧光材料晶体及能带/电子结构对其发光特性的影响)[J].发光学报,2022(07):1061-1069
A类：
Y2Si3N4O3,Y4Si2N2O7,Y3Si5N9O
B类：
Ce3+,荧光材料,电子结构,发光特性,白光,LED,蓝光芯片,发黄,YAG,红光,光源,常存,显色性,照明,配位结构,离子掺杂,设计研发,第一性原理计算,广义梯度近似,GGA,中密度,密度泛函理论,DFT,结构特性,实验测试,内在关系,配位键,低对称性,氮化物,子长,长波长,晶体结构
AB值：
0.301866
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