典型文献
模拟乏燃料短段673～873K下的氧化行为
文献摘要：
氧化挥发是一种具有良好应用前景的后处理首端技术,该技术不仅能有效实现氚的管控还可简化后续处理流程.为预测乏燃料的氧化行为并为氧化挥发技术提供参考,本文利用旋转式氧化挥发装置,对模拟乏燃料短段在673～873 K下的氧化行为进行了研究.结果表明,673～823 K范围内,随着温度的升高,模拟乏燃料短段氧化速率、氧化产物(小于200μm)粒径均会增加.823 K下,由于包壳内部分芯块未能完全反应,所得转化率只有86％.此外,当温度低于773 K时,模拟乏燃料短段氧化不够充分.因此,673～873 K范围内,乏燃料短段最佳氧化挥发温度为773 K.
文献关键词：
氧化挥发;模拟乏燃料短段;氧化速率;氧化产物
中图分类号：
作者姓名：
孙艳东;袁中伟;晏太红;郑卫芳
作者机构：
中国原子能科学研究院 放射化学研究所,北京 102413
文献出处：
引用格式：
[1]孙艳东;袁中伟;晏太红;郑卫芳-.模拟乏燃料短段673～873K下的氧化行为)[J].原子能科学技术,2022(07):1236-1242
A类：
模拟乏燃料,模拟乏燃料短段,873K
B类：
氧化行为,氧化挥发,首端,可简化,处理流程,旋转式,氧化速率,氧化产物,包壳,芯块
AB值：
0.169863
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