典型文献
一种三维相变存储器1S1R存储单元电路仿真模型
文献摘要：
三维相变存储芯片1S1R存储单元由双向阈值选通管(OTS)和相变存储器件(PCM)串联组成.为了解决现有OTS和PCM电路仿真模型不能准确模拟器件电学特性和物理特性、不适用于限制型PCM等问题,提出了一种采用Verilog-A语言实现的1S1R电路仿真模型.该模型实现了对O T S电学特性和PCM相变过程中电流、温度、熔融比例、晶态比例和非晶比例变化的模拟,具有良好的收敛性和较快的仿真速度,仿真结果与器件实际测试结果吻合.与传统模型相比,该模型针对限制型PCM特点,实现了对PCM熔融过程、晶态非线性、熔融电阻率稳定和O T S亚阈值非线性、双向选通特性的模拟和集成.分析了OTS亚阈值非线性参数和读电压窗口的关系,发现当OTS阈值电流约等于PCM阈值电流时读窗口最大;展示了1S1R单元直流和阵列瞬态仿真结果,为三维相变存储器的电路设计和仿真提供了基础.
文献关键词：
相变存储器;电路仿真模型;双向阈值选通管;Verilog-A
中图分类号：
作者姓名：
张光明;雷宇;陈后鹏;俞秋瑶;宋志棠
作者机构：
中国科学技术大学微电子学院,合肥230026;中国科学院上海微系统与信息技术研究所,上海200050;上海市纳米科技与产业发展促进中心,上海200237
文献出处：
引用格式：
[1]张光明;雷宇;陈后鹏;俞秋瑶;宋志棠-.一种三维相变存储器1S1R存储单元电路仿真模型)[J].上海交通大学学报,2022(12):1649-1657
A类：
双向阈值选通管
B类：
相变存储器,1S1R,存储单元,电路仿真模型,存储芯片,OTS,PCM,联组,模拟器,电学特性,物理特性,限制型,Verilog,言实,模型实现,相变过程,熔融,晶态,和非晶,收敛性,仿真速度,实际测试,传统模型,电阻率,非线性参数,电压窗口,阈值电流,约等于,流时,瞬态仿真,电路设计
AB值：
0.281014
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