典型文献
MgO插层对NiFe各向异性磁电阻薄膜信噪比的影响
文献摘要：
用磁控溅射法在不同温度下退火分别制备有无MgO插层的NiFe薄膜,对比了两种薄膜退火前后的AMR、灵敏度和微观结构.制备态下有无MgO插层的NiFe薄膜的1/f噪声相差不大,退火后无MgO插层薄膜的1/f噪声因扩散而明显上升,退火后有MgO插层的NiFe薄膜的1/f噪声则大幅下降,信噪比提高.电镜分析表明MgO插层在退火过程中会晶化,MgO/NiFe界面更加平整,界面应力下降,缺陷浓度降低,从而使1/f噪声大幅下降.
文献关键词：
NiFe薄膜;MgO插层;1/f噪声;信噪比;退火
中图分类号：
作者姓名：
李建伟
作者机构：
滨州学院化工与安全学院,山东滨州256600
文献出处：
引用格式：
[1]李建伟-.MgO插层对NiFe各向异性磁电阻薄膜信噪比的影响)[J].磁性材料及器件,2022(02):27-30
A类：
B类：
MgO,插层,NiFe,各向异性磁电阻,磁控溅射法,退火,备有,AMR,电镜分析,晶化,界面应力,应力下降,缺陷浓度
AB值：
0.242814
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