典型文献
拓扑半金属Mo5Si3中磷掺杂诱导Tc～10.8 K的强耦合超导电性
文献摘要：
通过对拓扑半金属Mo5Si3的硅位进行磷掺杂,我们发现了Mo5Si3-xPx(0.5≤x≤2.0)中强耦合的超导电性.W5Si3结构的Mo5Si3本身并不具有超导性,随着磷掺杂的增加,其晶格常数a单调减小,而c单调增加.在Mo5Si3-xPx(0.5≤x≤2.0)中,电阻、磁化率和比热测量揭示了其中的体超导特性.Mo5Si1.5P1.5的超导转变温度(Tc)高达10.8 K,创造了W5Si3结构超导体的Tc纪录,其上下临界场分别为14.56 T和105 mT,且是一个具有强电子-声子耦合的全能隙超导体.第一性原理计算表明,强的电子-声子耦合可能来自于掺磷所引起的费米面的移动,同时也揭示了 Mo5Si3非平庸的能带拓扑性质.Mo5Si3-xPx超导体的Tc和上临界场在准二元化合物中相当高,超过了 NbTi超导体,具有潜在的应用价值.本文的结果表明W5Si3型结构中可能存在更多的新型超导体,对该体系的研究将有助于拓扑超导体的发现.
文献关键词：
中图分类号：
作者姓名：
阮彬彬;孙俊男;陈银;杨清松;赵康;周孟虎;谷亚东;马明伟;陈根富;单磊;任治安
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引用格式：
[1]阮彬彬;孙俊男;陈银;杨清松;赵康;周孟虎;谷亚东;马明伟;陈根富;单磊;任治安-.拓扑半金属Mo5Si3中磷掺杂诱导Tc～10.8 K的强耦合超导电性)[J].中国科学：材料科学（英文）,2022(11):3125-3133
A类：
Mo5Si3,xPx,W5Si3,Mo5Si1
B类：
拓扑半金属,磷掺杂,Tc,强耦合,超导电性,晶格常数,调减,调增,磁化率,比热,5P1,转变温度,纪录,mT,强电,声子耦合,全能,能隙,第一性原理计算,能来,费米,米面,平庸,拓扑性质,上临界,二元化,NbTi,拓扑超导体
AB值：
0.269921
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