典型文献
Cr2Si2Te6铁磁半导体中大的正、负磁阻共存现象
文献摘要：
磁阻(MR)作为一种电子输运与磁场耦合的宏观现象,一直是凝聚态物理和材料科学的研究前沿.其中,大的磁阻现象及材料对磁传感器和信息存储应用尤为重要,而这种材料的稀缺也引起了人们的广泛关注.此外,由于物理起源不同,在一种化合物中同时存在大的正、负磁阻少见报道.本工作中,我们在Cr2Si2Te6铁磁半导体单晶中实现了不同磁场方向下大的正磁阻(pMR)和负磁阻(nMR)共存.具体而言,在面内场方向获得了约-60％的大的nMR,在面外场方向获得了高于1000％的大的pMR.我们将这种磁场方向依赖的磁阻行为归因于Cr2Si2Te6中的铁磁相互作用、轨道散射和电子关联作用的竞争和合作效应,它们在相应温度和磁场范围内分别使Cr2Si2Te6表现出nMR,pMR和nMR.阐明这种铁磁半导体中的磁阻机制将为寻求大的pMR和nMR共存的磁场敏感器件提供指导.
文献关键词：
中图分类号：
作者姓名：
李周;白巍;李昱良;李渊龙;王盛;张炜辉;赵继印;孙喆;肖翀;谢毅
作者机构：
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引用格式：
[1]李周;白巍;李昱良;李渊龙;王盛;张炜辉;赵继印;孙喆;肖翀;谢毅-.Cr2Si2Te6铁磁半导体中大的正、负磁阻共存现象)[J].中国科学：材料科学（英文）,2022(03):780-787
A类：
Cr2Si2Te6,pMR,nMR
B类：
铁磁,负磁阻,存现,电子输运,磁场耦合,凝聚态物理,材料科学,研究前沿,磁传感器,信息存储,稀缺,理起,见报,单晶,磁场方向,内场,面外,外场,行为归因,归因于,磁相互作用,电子关联,联作
AB值：
0.266576
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