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面向原子级表面制造的等离子体诱导原子选择刻蚀技术
文献摘要：
制造正从以经验技能为基础的制造Ⅰ和以经典理论为基础的制造Ⅱ迈向以量子理论为基础的制造Ⅲ.尽管制造的这三个范式出现在不同历史阶段,但它们将并存,甚至在未来可遇见的时期内,制造Ⅱ还依然起主导作用.其中制造Ⅲ的核心领域将是原子及近原子尺度制造(ACSM),涵盖制造的精度、结构尺寸及材料去除、迁移、增加的尺度.原子级的表面制造是ACSM发展的一个重要领域.本文将介绍一种基于等离子体诱导原子选择刻蚀原理(plasma-induced atom-selective etching,PASE)的原子级表面制造技术.晶体表面不同成键状态的原子在等离子体刻蚀反应中具有不同的反应优先等级,而这种反应优先级的调控可通过改变等离子体活性粒子成分、浓度、温度等来实现.因而,PASE技术可以选择性去除材料表面的多余原子,并最终实现原子级表面的创成.PASE技术已成功应用于Si,SiC,Al203等硬脆单晶材料的抛光,采用CF4-02等离子体,可直接实现上述材料研磨表面(Sa＞100nm)的抛光,并高效率获得埃米级表面(Sa＜0.5 nm),实现了原子级表面的制造.
文献关键词：
原子及近原子尺度制造;原子选择刻蚀;超精密加工;等离子体
中图分类号：
作者姓名：
张翊;吴兵;张临风;邓辉
作者机构：
南方科技大学工学院机械与能源工程系,深圳518055
文献出处：
引用格式：
[1]张翊;吴兵;张临风;邓辉-.面向原子级表面制造的等离子体诱导原子选择刻蚀技术)[J].中国科学（技术科学）,2022(06):882-892
A类：
原子选择刻蚀,原子及近原子尺度制造
B类：
原子级,刻蚀技术,经典理论,量子理论,历史阶段,遇见,心领,ACSM,结构尺寸,材料去除,plasma,induced,atom,selective,etching,PASE,制造技术,晶体表面,成键,等离子体刻蚀,优先等级,优先级,活性粒子,子成分,选择性去除,多余,成功应用,SiC,Al203,单晶材料,抛光,CF4,研磨,Sa,100nm,埃米,超精密加工
AB值：
0.378539
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