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基于HgCdTe-APD的32×32主被动成像读出电路
文献摘要：
设计了一款基于线性模式下HgCdTe-APD的主被动双模式读出电路.被动模式下通过积分电容进行光信号的强度测量,主动模式下利用两段式TDC进行光子飞行时间(ToF)的标记.TDC采用面阵共享的数字计数器进行粗计数,像元内置时间幅度转换电路(TAC)进行精细测量,同时利用积分电容的切换修正时刻鉴别误差.焦平面阵列规模为32×32,工作温度为77 K,采用标准SMIC 0.18μmCMOS工艺进行电路设计及版图绘制.仿真验证结果显示,电路满阱容量约为7.5 Me-,在3.2 μs的动态范围ToF分辨率小于0.5 ns,DNL和INL分别在-0.15 LSB～0.15 LSB和-0.2 LSB～0.2 LSB范围内.读出电路帧频为4.5 kHz,功耗小于180 mW.
文献关键词：
线性模式APD;主被动探测;光子飞行渡越时间;时间精度
中图分类号：
作者姓名：
赵云龙;陈洪雷;丁瑞军
作者机构：
中国科学院上海技术物理研究所红外成像材料与器件重点实验室,上海200083;上海科技大学信息科学与技术学院,上海201210
文献出处：
引用格式：
[1]赵云龙;陈洪雷;丁瑞军-.基于HgCdTe-APD的32×32主被动成像读出电路)[J].微电子学,2022(06):1001-1008
A类：
主被动成像,光子飞行时间,mCMOS,光子飞行渡越时间
B类：
HgCdTe,APD,读出电路,线性模式,双模式,被动模式,光信号,下利,两段式,TDC,ToF,计数器,内置,换电,TAC,正时,焦平面阵列,阵列规模,工作温度,采用标准,SMIC,电路设计,版图,图绘,仿真验证,满阱容量,Me,动态范围,ns,DNL,INL,LSB,帧频,kHz,功耗,mW,主被动探测,时间精度
AB值：
0.429849
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