典型文献
一种基于时间域的4倍插值高能效Flash ADC
文献摘要：
采用65 nm CMOS工艺,基于时间域4倍插值技术,设计了一款6位3.4 GS/s Flash ADC.该插值技术可以将N位Flash ADC的比较器数量从传统的2N-1减少到2N-2.与传统插值技术不同,该技术利用简单的SR锁存器有效地实现了4倍插值因子,而无需额外的时钟和校准硬件开销,在插值阶段只需要校准2N-2个比较器的失调电压.在不同的工艺角、电源电压和温度(PVT)下,SR锁存器中的失调电压不超过±0.5 LSB.该ADC的采样频率达到3.4 GS/s,其在Nyquist输入时的ENOB达到5.4位,在1V电源下消耗12.6 mW的功耗,其 Walden FoM值为89 fJ/(conv·step).
文献关键词：
Flash ADC;时间比较器;4倍时间域内插技术;SR锁存器
中图分类号：
作者姓名：
刘建伟;姜俊逸;叶雅倩;杨曼琳;王鹏;王育新;付晓君;李儒章
作者机构：
模拟集成电路国家级重点实验室,重庆400060;中国电子科技集团公司第二十四研究所,重庆400060
文献出处：
引用格式：
[1]刘建伟;姜俊逸;叶雅倩;杨曼琳;王鹏;王育新;付晓君;李儒章-.一种基于时间域的4倍插值高能效Flash ADC)[J].微电子学,2022(04):519-524
A类：
时间比较器
B类：
时间域,高能效,Flash,ADC,CMOS,插值技术,GS,2N,SR,锁存器,时钟,硬件开销,失调电压,电源电压,PVT,LSB,采样频率,Nyquist,ENOB,1V,mW,功耗,Walden,FoM,fJ,conv,step,内插
AB值：
0.42928
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