典型文献
GaN基同型异质结IMPATT二极管噪声特性研究
文献摘要：
针对p型GaN IMPATT制造工艺仍未成熟,提出了一种In0.4Ga0.6N/GaN n-n型异质结构来取代常规p-n结构,使GaN IMPATT二极管工作在IMPATT模式下.研究了这种n-n型In0.4 Ga0.6 N/GaN碰撞电离雪崩渡越时间(IMPATT)二极管的噪声特性,与同等条件下的传统GaN基p-n结IMPATT二极管作比较.结果表明,在不同偏置电流密度和不同InGaN层厚度下,该器件的噪声特性均好于传统p-n结构.结合器件交流输出特性可以得知,In0.4Ga0.6N/GaN同型异质结IMPATT器件不仅在功率效率上优于GaN p-n结构,其噪声性能表现亦优于传统GaN p-n结构,特别是在高频段的噪声特性优势更加明显.该研究可以为GaN基IMPATT器件的设计提供更多的思路和参考.
文献关键词：
InGaN/GaN;异质结;IMPATT;均方噪声电压;噪声测度
中图分类号：
作者姓名：
戴扬;党江涛;叶青松;卢昭阳;张为伟;雷晓艺;赵胜雷;赵武
作者机构：
西北大学信息科学与技术学院,西安710127;上海精密计量测试研究所,上海201109;西安电子科技大学微电子学院,西安710071
文献出处：
引用格式：
[1]戴扬;党江涛;叶青松;卢昭阳;张为伟;雷晓艺;赵胜雷;赵武-.GaN基同型异质结IMPATT二极管噪声特性研究)[J].微电子学,2022(03):459-465
A类：
IMPATT,4Ga0,均方噪声电压,噪声测度
B类：
二极管,噪声特性,制造工艺,未成熟,In0,6N,异质结构,管工,电离,雪崩,渡越时间,同等条件,偏置,电流密度,InGaN,输出特性,噪声性能,高频段
AB值：
0.200976
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