典型文献
非晶硅/晶体硅异质结太阳能电池结构设计研究
文献摘要：
理论研究表明,高—低掺杂双层本征非晶硅膜作为发射极可提升非晶硅/晶体硅异质结太阳能电池短波段光子QE,改善器件性能.本文优化了透明导电膜ITO(铟锡氧化物)工艺参数的Ar与Ar/O2气体流量比,实验探索了两种结构的双层发射极非晶硅/晶体硅异质结太阳能电池.结果表明:ITO最优Ar与Ar/O2气体流量比为50∶40 sccm,载玻片电阻最低为60.2 Ω;HWCVD法双层发射极非晶硅/晶体硅异质结太阳能电池转换效率为本实验室同条件下电池最高,达到了 11.2％.
文献关键词：
发射极;非晶硅/晶体硅异质结太阳能电池;转换效率;Ⅳ曲线;量子效率
中图分类号：
作者姓名：
何玉平;袁贤;胡军平;李未;黄海宾
作者机构：
南昌工程学院理学院,南昌市光电转换与储能材料重点实验室,江西南昌330099;南昌大学光伏研究院,江西南昌330031
文献出处：
引用格式：
[1]何玉平;袁贤;胡军平;李未;黄海宾-.非晶硅/晶体硅异质结太阳能电池结构设计研究)[J].南昌工程学院学报,2022(06):97-101
A类：
HWCVD
B类：
非晶硅,晶体硅,硅异质结,异质结太阳能电池,电池结构,发射极,短波,波段,光子,QE,器件性能,导电膜,ITO,锡氧化物,Ar,O2,气体流量,流量比,实验探索,sccm,载玻片,转换效率,量子效率
AB值：
0.235482
相似文献
机标中图分类号，由域田数据科技根据网络公开资料自动分析生成，仅供学习研究参考。
