典型文献
钇掺杂对Cu2ZnSn(S,Se)4薄膜太阳电池性能的影响
文献摘要：
利用溶胶-凝胶法生长出Y名义掺杂量x(=Y/(Y+Sn))为0～0.07的单一kesterite结构的Cu2ZnSn(S,Se)4(CZTSSe:Y)薄膜,并利用传统工艺制备出以CZTSSe:Y为吸收层的薄膜太阳电池,探讨了Y掺杂对CZTSSe:Y太阳电池光电转换效率(PCE)的影响规律和机制.研究发现:当x从0增加到0.05时,PCE从2.26％增加到5.68％;当x从0.05增加0.07时,PCE却从5.68％降低到2.90％.通过计算,阐明了光生电流密度(JL)、反向饱和电流密度(J0)、并联电导(Gsh)和串联电阻(Rs)随Y掺杂量的改变对开路电压(Voc)、短路电流密度(Jsc)、填充因子(FF)和PCE的增加或减小的贡献程度.通过表征CZTSSe:Y薄膜的结构、晶体质量和电学性能随Y掺杂量的变化,阐述了Y掺杂对CZTSSe:Y太阳电池Voc、Jsc、FF和PCE的影响机制.
文献关键词：
太阳电池;钇;掺杂;Cu2ZnSn(S;Se)4
中图分类号：
作者姓名：
姚斌;胡娟;张家永
作者机构：
吉林大学物理学院,吉林长春130012
文献出处：
引用格式：
[1]姚斌;胡娟;张家永-.钇掺杂对Cu2ZnSn(S,Se)4薄膜太阳电池性能的影响)[J].吉林师范大学学报（自然科学版）,2022(02):1-10
A类：
Y+Sn,Gsh
B类：
Cu2ZnSn,薄膜太阳电池,电池性能,溶胶,凝胶法,名义,kesterite,CZTSSe,传统工艺,工艺制备,光电转换效率,PCE,光生,JL,饱和电流,J0,串联电阻,Rs,开路电压,Voc,短路电流密度,Jsc,填充因子,FF,贡献程度,晶体质量,电学性能
AB值：
0.33099
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