典型文献
退火温度对铌掺杂氧化铟透明薄膜性能的影响
文献摘要：
采用磁控溅射法制备了铌(Nb)掺杂氧化铟(In2O3)透明薄膜(InNbO),研究了不同退火温度对薄膜的形貌、结构、光学透过率以及电学性能等的影响.研究表明,所制备的薄膜表面致密均匀、无明显孔隙与裂痕,薄膜呈现结晶相,无明显晶格畸变,在波长380～780 nm的可见光范围内透过率约86％,拟合的禁带宽度Eg随薄膜退火温度升高而增大,当薄膜进行400℃退火后,Eg为3.89 eV,未退火时薄膜电阻率最低(约9.4×10-2 Ω·cm),随退火温度升高薄膜的电阻率表现为先增大后减小.
文献关键词：
磁控溅射;InNbO;透明薄膜;退火处理;透过率
中图分类号：
作者姓名：
林剑荣;梁瑞斌;彭璟怡;陈建文;肖鹏
作者机构：
佛山科学技术学院物理与光电工程学院,广东佛山528000;佛山科学技术学院粤港澳智能微纳光电技术联合实验室,广东佛山528000;佛山科学技术学院电子信息工程学院,广东佛山528000
文献出处：
引用格式：
[1]林剑荣;梁瑞斌;彭璟怡;陈建文;肖鹏-.退火温度对铌掺杂氧化铟透明薄膜性能的影响)[J].佛山科学技术学院学报（自然科学版）,2022(06):34-41
A类：
InNbO
B类：
退火温度,掺杂氧化铟,透明薄膜,膜性能,磁控溅射法,In2O3,透过率,电学性能,裂痕,晶相,显晶,晶格畸变,可见光,禁带宽度,Eg,eV,未退,薄膜电阻,电阻率,退火处理
AB值：
0.286558
相似文献
机标中图分类号，由域田数据科技根据网络公开资料自动分析生成，仅供学习研究参考。
