典型文献
基于光电化学刻蚀的GaN微纳加工研究
文献摘要：
开发了自制可视化光电化学微纳加工装置,对三电极体系中GaN表面的光电化学刻蚀进行研究.在酸性电解液中,光生空穴迁移到GaN/电解液的表界面,使得GaN表面发生氧化刻蚀反应.通过倒置光学显微镜连接CCD相机实时采集样品在刻蚀过程中的动态图像,观察反应的进程.通过扫描电子显微镜(SEM)对刻蚀后GaN的表面进行了表征.研究结果表明,在0.5V的刻蚀电压下GaN表面形成了多孔纳米结构.
文献关键词：
光电化学刻蚀;GaN;微纳加工;纳米孔
中图分类号：
作者姓名：
麦满芳;杜亮;刘国华;朱传云
作者机构：
佛山科学技术学院物理与光电工程学院,广东佛山528225;佛山科学技术学院粤港澳智能微纳光电技术联合实验室,广东佛山528225
文献出处：
引用格式：
[1]麦满芳;杜亮;刘国华;朱传云-.基于光电化学刻蚀的GaN微纳加工研究)[J].佛山科学技术学院学报（自然科学版）,2022(06):28-33
A类：
光电化学刻蚀
B类：
GaN,微纳加工,加工研究,加工装置,三电极体系,酸性电解液,光生,空穴迁移,倒置,光学显微镜,CCD,实时采集,动态图像,5V,纳米结构,纳米孔
AB值：
0.210758
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